Center for Correlated Electron Systems
E-beam & Thermal Evaporator System

E-beam & Thermal Evaporator System

  • Model : KVE-ENT2000L
  • Manufacturer : 코리아바큠테크㈜
  • Specifications
    전자빔 소스 : 4 pocket 7cc 또는 6 pocket 4cc
    열 소스 : 텅스텐 보트/바스켓
    QCM controller를 이용한 정밀 두께 제어
    기판 제어 시스템 : 회전 (0 ~ 30 RPM), 온도 (Up to 300℃)
    시편증착 균일도 : ±3% 이내
    진공도달능력 : 5x10-7 torr @ 1시간 이내
  • Usage
    전자빔 및 열원을 이용하여 금속 또는 무기물질을 박막 형태로 기판에 증착하는 장비이다.
Ion-milling System

Ion-milling System

  • Model : KVET-IM2000L
  • Manufacturer : 코리아바큠테크㈜
  • Specifications
    식각균일도 : 5% 이내 @ 2 inch sample 전면
    식각속도 : 0.75 ~ 10A/sec @ Ta
    기판 자전, Tilt 기능 포함
    이온 소스 시스템 :
    빔 크기 : 4 cm, 빔 전류 : > 100mA
    전압 범위 : 100 ~ 1200V / Grids : Molybdenum & Graphite
    사용가스 : 불활성 & 반응성 기체 (Ar, O2)
  • Usage
    진공 증착된 금속 박막에 패턴을 형성시켜 주기 위해 알곤 및 반응성 가스를 사용하여 발생된 이온으로 필요없는 부분을 선택적으로 식각시키는 장비이다.
Plasma Asher

Plasma Asher

  • Model : AP-300 Plasma system
  • Manufacturer : Nordson Corporation
  • Specifications
    Number of Shelf Positions: 7
    Shelf Pitch: 25.4 mm
    RF Power Standard Wattage: 300 W
    RF Power Frequency: 13.56 MHz
    Available Flow Volumes 10, 25, 50, 100, 250 or 500 sccm
    Maximum Number of MFCs: 4
  • Usage
    플라즈마를 이용하여 반도체, 의료, 광전자, PCB 재료의 표면을 개질하여 산화물 디바이스 제작 시 접착력의 향상, 표면 장력의 저하, 표면의 이물질 제거 등의 목적으로 활용되는 장비이다.
Reactive Ion Etcher (RIE)

Reactive Ion Etcher (RIE)

  • Model : JCCP-600el
  • Manufacturer : (주)제이하라
  • Specifications
    Substrate Size : Φ150 mm
    Plasma Source : CCP
    Bottom RF (Bias) : 13.56MHz / 600 W
    Etch Material : Si & Oxide
    Etch Rate (A/min) : > 2000 (Oxide)
    Non Uniformity : < 5%
    Feature Size (L/S) : < 0.5 um
    Profile (Vertical) : > 80°
  • Usage
    고밀도 플라즈마의 RIE (reactive ion etching) 기능을 이용하여 반도체, 의료, 광전자, 디스플레이 재료의 산화물 박막 표면에 3차원 나노 패턴을 형성할 수 있는 장비이다.
Stylus Profiler

Stylus Profiler

  • Model : DektakXT-E
  • Manufacturer : Bruker
  • Specifications
    Measurement Capability : Two-Dimensional Surface Profile Measurement
    Step Height Repeatability : <5 A, 1sigma on nominal 1000A vertical step height standard
    Vertical Range : Up to 1mm vertical measurement range
    Stylus force : 1-15 mg. (down to 0.03 mg. optional)
    Sample thickness : 50 mm (2") maximum
    stress analysis, trace analysis, step detection
  • Usage
    탐침을 이용하여 시료 표면을 직접 접촉하여 지나가면서 표면 단차의 두께, 폭, 거칠기 및 스트레스를 측정할 수 있는 장비이다.
UV Patterning System

UV Patterning System

  • Model : MJB4
  • Manufacturer : SUSS MicroTec
  • Specifications
    Substrate Size : For 5x5mm and 20x20mm piece substrate
    Mask Size : 5‘’ x 5‘’ mask
    Exposure Optics : Hg-Lamp 350W
    UV400 : 350~450㎚ (I- H- G-line)
    Intensity Uniformity : < ± 3%
    Printing Resolution : down to 0.7~0.8㎛
    Alignment Accuracy: down to 0.5㎛ with TSA
  • Usage
    반도체 소자 제작시 포토리소그래피 공정에 사용되는 장비로 UV 광원을 이용하여 포토 마스크의 소자 회로를 기판에 전사하는 장비이다.
Wedge Wire Bonder System

Wedge Wire Bonder System

  • Model : 7476D-79
  • Manufacturer : WESTBOND
  • Specifications
    x-y-z micromanipulator
    Two way convertibility : Deep Access (90° wedge, Ribbon), Conventional (45° wedge)
    z tool range : 0.5"
    z encoder resolution : 0.002"
    bond force range : 10 ~ 150 grams
    Wire range : 0.7 ~ 2.0 mm
  • Usage
    IC나 LSI 등의 팁의 전극부와 패키지의 리드선 단자 간을 직경 수십 마이크론의 금이나 알루미늄, 동 등의 가느다란 와이어로 접속하는 장비이다.