E-beam & Thermal Evaporator System
- Model : KVE-ENT2000L
- Manufacturer : 코리아바큠테크㈜
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Specifications전자빔 소스 : 4 pocket 7cc 또는 6 pocket 4cc
열 소스 : 텅스텐 보트/바스켓
QCM controller를 이용한 정밀 두께 제어
기판 제어 시스템 : 회전 (0 ~ 30 RPM), 온도 (Up to 300℃)
시편증착 균일도 : ±3% 이내
진공도달능력 : 5x10-7 torr @ 1시간 이내 -
Usage전자빔 및 열원을 이용하여 금속 또는 무기물질을 박막 형태로 기판에 증착하는 장비이다.
Ion-milling System
- Model : KVET-IM2000L
- Manufacturer : 코리아바큠테크㈜
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Specifications식각균일도 : 5% 이내 @ 2 inch sample 전면
식각속도 : 0.75 ~ 10A/sec @ Ta
기판 자전, Tilt 기능 포함
이온 소스 시스템 :
빔 크기 : 4 cm, 빔 전류 : > 100mA
전압 범위 : 100 ~ 1200V / Grids : Molybdenum & Graphite
사용가스 : 불활성 & 반응성 기체 (Ar, O2) -
Usage진공 증착된 금속 박막에 패턴을 형성시켜 주기 위해 알곤 및 반응성 가스를 사용하여 발생된 이온으로 필요없는 부분을 선택적으로 식각시키는 장비이다.
Plasma Asher
- Model : AP-300 Plasma system
- Manufacturer : Nordson Corporation
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SpecificationsNumber of Shelf Positions: 7
Shelf Pitch: 25.4 mm
RF Power Standard Wattage: 300 W
RF Power Frequency: 13.56 MHz
Available Flow Volumes 10, 25, 50, 100, 250 or 500 sccm
Maximum Number of MFCs: 4 -
Usage플라즈마를 이용하여 반도체, 의료, 광전자, PCB 재료의 표면을 개질하여 산화물 디바이스 제작 시 접착력의 향상, 표면 장력의 저하, 표면의 이물질 제거 등의 목적으로 활용되는 장비이다.
Reactive Ion Etcher (RIE)
- Model : JCCP-600el
- Manufacturer : (주)제이하라
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SpecificationsSubstrate Size : Φ150 mm
Plasma Source : CCP
Bottom RF (Bias) : 13.56MHz / 600 W
Etch Material : Si & Oxide
Etch Rate (A/min) : > 2000 (Oxide)
Non Uniformity : < 5%
Feature Size (L/S) : < 0.5 um
Profile (Vertical) : > 80° -
Usage고밀도 플라즈마의 RIE (reactive ion etching) 기능을 이용하여 반도체, 의료, 광전자, 디스플레이 재료의 산화물 박막 표면에 3차원 나노 패턴을 형성할 수 있는 장비이다.
Stylus Profiler
- Model : DektakXT-E
- Manufacturer : Bruker
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SpecificationsMeasurement Capability : Two-Dimensional Surface Profile Measurement
Step Height Repeatability : <5 A, 1sigma on nominal 1000A vertical step height standard
Vertical Range : Up to 1mm vertical measurement range
Stylus force : 1-15 mg. (down to 0.03 mg. optional)
Sample thickness : 50 mm (2") maximum
stress analysis, trace analysis, step detection -
Usage탐침을 이용하여 시료 표면을 직접 접촉하여 지나가면서 표면 단차의 두께, 폭, 거칠기 및 스트레스를 측정할 수 있는 장비이다.
UV Patterning System
- Model : MJB4
- Manufacturer : SUSS MicroTec
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SpecificationsSubstrate Size : For 5x5mm and 20x20mm piece substrate
Mask Size : 5‘’ x 5‘’ mask
Exposure Optics : Hg-Lamp 350W
UV400 : 350~450㎚ (I- H- G-line)
Intensity Uniformity : < ± 3%
Printing Resolution : down to 0.7~0.8㎛
Alignment Accuracy: down to 0.5㎛ with TSA -
Usage반도체 소자 제작시 포토리소그래피 공정에 사용되는 장비로 UV 광원을 이용하여 포토 마스크의 소자 회로를 기판에 전사하는 장비이다.
Wedge Wire Bonder System
- Model : 7476D-79
- Manufacturer : WESTBOND
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Specificationsx-y-z micromanipulator
Two way convertibility : Deep Access (90° wedge, Ribbon), Conventional (45° wedge)
z tool range : 0.5"
z encoder resolution : 0.002"
bond force range : 10 ~ 150 grams
Wire range : 0.7 ~ 2.0 mm -
UsageIC나 LSI 등의 팁의 전극부와 패키지의 리드선 단자 간을 직경 수십 마이크론의 금이나 알루미늄, 동 등의 가느다란 와이어로 접속하는 장비이다.